Un grupo de científicos de la Universidad de Nebraska-Lincoln ha descubierto una nueva clase de materiales que podrían resultar de gran utilidad en el desarrollo de nuevos métodos de creación de memorias para ordenadores.

El equipo de investigación, dirigido por Christos Panagopoulos de la Universidad Tecnológica Nanyang en Singapur descubrió que una nueva clase de materiales que cuentan con una propiedad muy atractiva llamada ferroelectricidad y, por ende, podrían ser usados para crear nuevos tipos de dispositivos de almacenamiento de datos.

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Un material ferroeléctrico muestra polarización espontánea eléctrica, que se caracteriza por una carga eléctrica positiva en un lado del material y negativo en el lado opuesto. La polarización puede ser revertida mediante la aplicación de un campo eléctrico (de una batería, por ejemplo).

Los científicos fueron capaces de fabricar las heteroestructuras mediante el depósito de capas atómicas de diferentes materiales, capa por capa, en pilas de espesor de unos pocos nanómetros.

Aunque ninguno de los materiales que componían las heteroestructuras era ferroeléctrico, el compuesto formado por las mismas mostró una polarización ferroeléctrica pronunciada.

La naturaleza de este fenómeno no estaba clara al principio, pero los científicos encontraron la explicación de este comportamiento. Además, indicaron que los materiales descubiertos también presentan magnetoelectricidad, una importante propiedad funcional que permite modificar la polarización eléctrica por la aplicación de un campo magnético.

Los resultados fueron publicados en la edición 18 de septiembre de Nature Communications.

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